IT之家12月10日报道，2024年IEEE IEDM国际电子设备大会目前正在美国加利福尼亚州旧金山举行。据分析师 Ian Cutress 的 X 平台消息，NVIDIA 在本次学术会议上分享了关于未来 AI 加速器的想法。

NVIDIA认为，未来整个AI加速器复合体将位于大面积先进封装基板上，采用垂直供电、集成硅光子I/O设备、GPU采用多模块设计、3D垂直堆叠DRAM内存，并直接将冷板集成到模块内。

IT之家注：Ian Cutress 也提到了硅光子中介层，但他分享的图片中并没有相关内容。

在NVIDIA给出的模型中，每个AI加速器复合体包含4个GPU模块，每个GPU模块垂直连接6个小型DRAM内存模块，并搭配3组硅光子I/O设备。

硅光子I/O可以实现超越现有电I/O的带宽和能效性能，是当前先进技术的重要发展方向； 3D垂直堆叠DRAM存储器比目前的2.5D HBM解决方案具有更短的信号传输距离，这有利于由于I/O引脚的增加和每引脚速度的提高；更多器件的垂直集成导致发热量增加，冷板的模块集成可以提高散热能力。

Ian Cutress 认为，这一设想的 AI 加速器综合体要到 2028 年~2030 年甚至更晚的时间才能成为现实：