快科技12月29日报道，自长鑫内存低调推出DDR5内存以来，更多内幕消息被挖掘出来，好消息不断。就连第二代HBM2高带宽内存也取得了重大突破。

根据花旗银行的分析报告，长鑫在DDR4上的初始良率仅为20-30%，成熟后达到90%。

得益于在DDR4方面的丰富经验，长鑫DDR5的良率从一开始就达到了40%。目前稳定在80%左右，并持续改善。预计到明年底将增至90%左右。

长鑫目前在合肥拥有两家内存工厂。 Fab 1主要生产DDR4，采用19nm工艺，月产能约10万片晶圆。

Fab 2主攻DDR5，采用17nm工艺。目前月产能约为5万片晶圆，仍在提升中，预计明年将翻一番。

当然，三星、SK海力士等的DDR5内存已经升级到12nm工艺，所以长鑫还有很大的提升空间。

此外，长鑫还在大力推广HBM高带宽内存。一方面，提高了第一代HBM的产能。另一方面，第二代HBM2已取得重大突破，正在向客户送样。预计明年中旬即可小规模量产。

虽然三大原厂已经量产HBM3和HBM3E，并且即将推出HBM4，但对于长鑫来说，能够处理HBM2仍然是一个里程碑，对于国产化AI硬件的发展至关重要，比如华为Ascend 910系列加速器 取决于 HBM2。

据此前报道，长鑫从今年第三季度开始采购HBM2生产​​设备，尤其是需要更先进封装技术的设备，包括TSV、KGSD等。