要点总结：

EUV 光刻面临着挑战。随着间距尺寸的减小，这种光刻技术面临着电子模糊的挑战。随着间距尺寸的减小，这种光刻技术还面临着随机性的挑战。随着间距尺寸的减小，这种光刻技术也面临着偏振的挑战。

电子模糊导致的对比度损失约为 50%，显著影响随机波动。

偏振效应正日益成为一个令人担忧的问题，导致图像质量下降。

间距不断缩小，在 EUV 光刻中，电子变得模糊，具有随机性，现在的偏振也开始产生越来越强的影响。

EUV 光刻技术在不断发展，其目标是实现越来越小的间距。在这个过程中，新的物理限制不断涌现，成为了强大的障碍。长期以来，随机效应一直被视为关键挑战，而电子模糊最近也受到了深入研究[3]。现在，偏振效应正逐渐成为图像质量下降的一个令人担忧的问题。行业迈向 2nm 节点时，这些影响汇聚成了一场完美风暴，对 EUV 印刷特征的质量构成了威胁。模糊以及偏振所导致的对比度损失，使得随机波动更有机会跨越印刷阈值。

图 1 展示了在 0.55NA EUV 光刻系统当中，18nm 间距所呈现出的偏振、模糊以及随机性的综合作用。其中偶极子导致的衰减这一因素[6]被舍弃了，原因是它所产生的影响相对较小。倘若假定为非偏振光[5]，那么对比度损失会达到 14%，然而电子模糊在加剧图像中随机电子行为方面的影响更为突出，大约会导致 50%的对比度损失。偏振引起的对比度降低与电子模糊引起的对比度降低相乘可得到总对比度损失。

图 1 展示了 0.55NA 且波长为 13.5nm 的 EUV 光刻系统投影出的 9nm 半间距图像，此图像不包含图像衰减。右侧显示了假定的电子模糊。中心处的随机电子密度图是以非偏振光（50%TE，50%TM）为假设条件的。并且假设使用了 20nm 厚的金属氧化物光刻胶（20/um 吸收）。

边缘的“粗糙度”极为严重，能够被当作缺陷。随机波动跨越印刷阈值的可能性不是可以忽略的。当间距减小时，我们应当预料到这种情况会变得更差，原因在于电子模糊的影响更加显著，并且非偏振光会造成对比度的损失（图 2）。

图像对比度的降低会随着间距的减小而变得更糟。电子密度中的随机波动也会相应地变得更为严重。并且，除了间距这一因素之外，所使用的假设与图 1 是相同的。

请注意，对于 14nm 间距的这种情况，从 TE 偏振转变为非偏振所造成的 23%的对比度损失，比电子模糊所导致的对比度损失（约 60%）要小。间距不断减小时，偏振的影响会增大，模糊的影响也会增大。上述示例提到，偏振被光刻界视为日益令人担忧的问题，然而，电子模糊致使对比度降低的情况更为突出。所以，我们必须预料到，对于 EUV 特征的可印刷性以及随机图像波动的任何有效分析，都应包含一个符合实际的电子模糊模型。