芯东西8月1日发布报道，近日，英伟达（NVIDIA）在其官方网站上公布了800V直流电源架构的合作伙伴名单，名单中仅有一家芯片制造商属于我国本土企业，即英诺赛科。

英诺赛科与合作伙伴携手，为英伟达的Kyber机架系统打造了涵盖全流程的氮化镓电源解决方案，这一技术路线已得到微软、谷歌等众多科技行业巨头的关注与跟进。

此次合作旨在促进800V直流电源架构在AI数据中心的大规模应用，这将使单个机房的算力密度增加超过10倍，有助于单个机柜的功率密度达到300kW以上，进而引领全球AI数据中心步入兆瓦级供电的新纪元。

该消息传来，英诺赛科今日股价大幅攀升，涨幅达到30.91%，同时，其市值也随之攀升至515亿港元。

随着大模型蓬勃发展，AI集群算力功耗暴涨带来电力成本压力。

Gartner的预测显示，到2027年，全球AIDC领域的年耗电量预计将达到500TWh，这一数字比2024年增加了一倍，而电力成本在数据中心整体运营支出中占据了40%以上的比例。

传统的54V低压架构在单机柜功率超过200kW时面临物理极限，而传统的供电架构已无法承载高密度算力集群巨大的能源需求，效率的瓶颈和能耗的压力已变成制约AI产业向更高层次发展的关键障碍。

目前，AI训练集群的单GPU能耗已超过10千瓦，而英伟达的Rubin Ultra等新一代平台，更是将机柜的总功率提升到了600千瓦以上。

英伟达主导的800 VDC架构有两大特点：

电网直接连接并实现高压化处理，将13.8千伏的交流电直接转化为800伏的直流电，省去了交流与直流转换的中间步骤，从而使得整个过程的能效得到了5%的提升。

材料与空间得到优化：电压提升导致铜缆使用量降低45%，机房占地面积减少40%，单个机柜的功率密度可达到600kW及以上。

为何我们选择与英诺赛科展开合作？这其中的关键因素与第三代半导体材料氮化镓（GaN）紧密相连。

新一代AI供电系统，在追求卓越能效和紧凑结构的过程中，氮化镓成为突破传统供电技术限制的最优材料选择之一。

传统的硅基器件由于开关速度较慢、承受电压能力较弱，故而难以在高功率密度环境下实现高效的电能转换。而氮化镓（GaN）凭借其卓越的多重特性，成为了800V电压等级架构下的理想选择。

英诺赛科在衬底、外延、芯片设计以及封装测试等环节均展现出IDM全产业链的强大优势。

自主研发的8英寸GaN-on-Si量产线，其良率已超过95%，有效降低了40%的生产成本，堪称业内领先的生产线之一，且在产能方面位居行业最前列。

技术优势显著：第三代氮化镓（GaN）器件在频率领域表现出色，其高频效率高达98.5%；此外，该器件兼容15V至1200V的宽电压范围。

方案设计上采用了高压、中压、低压三级直流直流转换结构，这一设计系统性地提高了整体的转换效率，确保了从电网至GPU的全程高效数据传输。

随着800伏直流电压架构的广泛应用，预计能够使数据中心整体能耗减少20%至30%，进而每年减少数千万吨的碳排放，并且还能大幅减少40%的机房空间需求。