2025年夏季，一份关于英伟达的供应环节信息，在电子元件领域掀起巨大反响。

在全是欧美日传统企业的领域中，一个不为人知的中国品牌悄然登场：英诺赛科。

骆薇薇由美国宇航局的专家转变为国内氮化镓芯片行业的领军人物，她作为英诺赛科的开创者，历经八载光阴，实现了从无到有的跨越和非凡的成就。

到2025年9月29日收盘时，英诺赛科的总价值达到了777.23亿港元，它现在是全球制造氮化镓功率半导体的领先企业。

而这一切，始于2015年那个不被看好的决定。

“跳入火坑”

二零一五年，骆薇薇决断返回祖国开创事业，周围多数人对其决定持怀疑态度。

有人毫不避讳地提醒她：在国内开拓事业如同“陷阱”，切莫踏入其中，最终，仅有一名职员决定跟她回到祖国。

骆薇薇从新西兰梅西大学获得应用数学博士学位，之后在美国宇航局任职十五载，此后她创立了两家专注于新型材料领域的高科技企业。

骆薇薇依据行业洞察，于2015年载着培育第三代半导体氮化镓的志向重返国内。

那个时期，整个世界第三代半导体领域还处在初步发展阶段，氮化镓尚未实现广泛市场推广。更令行业同仁感到意外的是，骆薇薇决定走上一条非常规的技术路线，在多数公司仍使用6英寸或4英寸制造工艺的情况下，她果断选择集中力量攻克8英寸硅基氮化镓晶片技术。

这种决定隐藏着极高的不确定性，同时也蕴含着丰厚的收益。与6英寸硅基氮化镓晶片相比，8英寸晶片可以大幅提升材料产出率，增幅达到八成，并且单个元件的生产费用能够削减三分之一。不过达成目标的技术门槛也急剧攀升，权威分析指出，要实现工业化生产，至少需要九年的持续研发。

骆薇薇深信经验不会阻碍进步，也不会形成障碍。她在NASA工作十五年来，对此观点有着十足的把握。她觉得世上没有多少事情是真正办不到的。

二零一五年十二月，骆薇薇于珠海建立企业，起初以小型制造基地运作。研发工作持续进行，生产规模难以满足市场需要。二零一七年，她在苏州正式设立英诺赛科公司，开始转向扩大生产规模。

骆薇薇引领英诺赛科逐一突破了诸多技术瓶颈。企业率先在全球达成8英寸硅基氮化镓晶圆量产目标，并且是国际上唯一具备大规模制造全电压范围硅基氮化镓器件能力的机构。

这一突破填补了行业空白，完善了我国半导体产业链的布局。

英诺赛科的8英寸晶圆，相较于6英寸硅基氮化镓晶圆，展现出显著的费用节省，这一特点帮助它获得了市场中的优势地位。

依据弗若斯特沙利文披露的数据，以2023年营收来衡量，英诺赛科在全世界氮化镓功率半导体行业里位居首位，其市场占有率达到了33.7%。要是依据换算氮化镓分立器件的交付量来计算，英诺赛科更是持续占据全球第一的位置，2023年其市场占比提升至42.4%。

英诺赛科的产品，如今分布到消费电子、可再生能源、工业应用、汽车电子以及数据中心等众多行业。氮化镓分立器件和集成电路的销售，正呈现快速增长的态势，2024年营业额大幅提升87.8%，达到3.61亿元，在总营业额中占比43.5%。

资本助力

英诺赛科在公开交易市场挂牌前，已经进行了五轮资金募集，累计金额达到了六十亿元以上。这个数额在中国半导体行业初创企业里十分少见。

值得留意的是，在C轮融资环节，宁德时代创始人曾毓群以个人身份向英诺赛科投入了2亿元资金，这部分投资完成后，曾毓群便将相关股权转由其配偶管理，在上市登记前，该部分股份的占比为1.78%。

英诺赛科之所以获得众多资本的青睐，一方面源于其技术优势，另一方面则得益于其产品在新能源汽车行业的广泛运用。具体来看，该公司2023年将近6亿元的总营收里，宁德时代提供的份额超过了三成。

另外，骆薇薇选择将公司落户苏州，绝非偶然。

苏州在2002年便着手促进半导体设计、制造、封装检测等相关产业的构建和实施。现在，苏州已发展成为国内第三代半导体产业资源集中和产业成熟度领先的区域之一。

时机常光顾那些早有准备的个体。苏州凭借在半导体领域的持续投入，赢得了英诺赛科扎根的理想环境。从英诺赛科初到苏州的启动资金，直至其上市的关键投资，苏州始终提供坚实援助。

2024年12月，英诺赛科于港交所主板完成首次公开募股，股票发行价格为每股30.86港元。公司此次融资总额达到大约14亿港元。上市活动吸引了意法半导体、江苏国企混改基金等四家基础投资机构的参与，这些机构总共购买了价值1亿美元的公司股份，这一金额超过了首次公开募股的总融资规模的一半。

英诺赛科在公开交易后进一步增强了其生产规模上的有利条件，2025年7月，该企业宣告将8英寸氮化镓晶圆的每月制造数量从1.3万个提升到2万个，早些时候英诺赛科曾透露，打算在接下来的五年期间把月产量增加至7万个。

英诺赛科与意法半导体达成合作协议，将合作推进氮化镓技术，该技术将在多个行业发挥作用，包括消费电子产品、数据中心、汽车领域以及工业电源系统。

依照契约规定，英诺赛科能够运用意法半导体在除中国以外的区域的生产能力来加工其氮化镓晶片，意法半导体同样能够借助英诺赛科在中国的生产设施来加工其自身的氮化镓晶片。

此次协作显著提升了英诺赛科的供应体系弹性，同时彰显了全球顶尖半导体企业对其技术能力的肯定。

广阔前景

氮化镓是先进半导体材料中的杰出代表，具有高频率、强耐压和优电子迁移率等多方面特性，因此在电动汽车制造、大型计算中心、太阳能发电设施等众多行业领域，预示着巨大的发展潜力。

据弗若斯特沙利文发布的信息，到2028年，全球氮化镓功率半导体市场整体规模预计能达到501亿元，这一数字将占全球功率半导体市场总量的10.1%。

英诺赛科的产品在新能源汽车领域已有广泛应用。

其车用符合标准的氮化镓芯片已经提供给比亚迪、蔚来这些汽车制造商使用，涉及汽车激光雷达、车载充电器等功率不高的应用领域。2025年上半年度，英诺赛科这类符合车辆要求的芯片出货量比去年同期增长了128%。

在人工智能和数据中心行业，英诺赛科与英伟达建立合作关系，将为它的800V直流供电系统，供应完整的氮化镓电力产品，这将使公司有可能在未来数据中心电力升级市场，获得20%到30%的市场比例。

英诺赛科在消费电子产业与人形机器人制造方面，同样呈现出迅猛的发展态势。

英诺赛科当前依然在承受损失，但亏损的程度正在逐渐减小。根据财务报告，公司二零二五年上半年获取的营收为五亿五千三百万，较上一年度增长了四十三点四%；录得的净亏损大约是四亿二千九百万元，与去年相比减少了十二点一六%。

公司毛利润比例达到6.8%，与2024年上一年度相比，首次呈现盈利增长，表明公司获利水平有大幅度改善。

全球第三代半导体产业已迈入鼎盛时期，英诺赛科亦正处在发展的关键时期。骆薇薇透露，企业计划进一步扩充生产规模，加大科技攻关力度，同时积极构建国际化的市场推广体系。

这位曾在美国宇航部门工作的女性专家，在中国半导体发展历程中留下了非常显著的影响。