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三星提升2纳米GAA技术良率遇阻,泰勒工厂开业推迟至2026年?

IT之家7月7日报道,三星持续投入先进制造技术以吸引消费者,然而,这一策略遭遇了诸多挑战。这些困难不仅迫使泰勒工厂的开业日期延后至2026年,还影响了三星1.4纳米工艺的进展。究其原因,在于三星正集中精力提高2纳米环绕栅极(GAA)技术的良率。

三星三纳米工艺__三星纳米芯片

Chosun最新消息显示,三星正着手执行一项“优选与聚焦”的战术,该战略的核心在于将2纳米GAA技术的合格率提高至60%至70%区间。若成功跨越这一重要节点,大规模量产将指日可待,同时,潜在客户也将对这项技术的潜力有更深入的认识。

据相关报道,三星电子的专项工作组以及全球研究院正致力于推动2纳米GAA光刻技术的良率提升战略。知情人士@Jukanlosreve在社交平台上透露了更多细节,强调三星对这项技术的重视源于客户对半导体的强烈需求,而这些客户预计在未来两到三年内还将持续依赖这一技术。在2纳米工艺以下进行投资面临较大风险,然而,三星在2纳米GAA技术节点上已取得显著成就,这使其成为助力三星复兴并对抗台积电的有效途径。

三星面临的情况并不乐观。此前有消息指出,三星似乎迎来了转机,有机会为高通制造骁龙 8 Elite Gen 2 芯片,然而在试生产阶段结束后,高通据称取消了这项计划。尽管遭遇了这样的挫折,三星并未就此放弃,据透露,他们已经完成了第二代2纳米工艺的基础设计,并且计划在接下来的两年里推出更新的第三代技术,即“SF2P+”。

IT之家获悉,通常而言,为确保晶圆生产的商业可行性,客户需保证其产品良率达到70%这一标准。据悉,三星高管已为其各部门设定了为期六个月的期限,旨在达成这一目标。

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