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最近，有传言称三星在第九代V9 QLC NAND闪存技术上遇到了困难，已经决定将这款产品的大规模制造计划延后。内部消息指出，第一批V9 QLC芯片存在基础性的构造问题，使其运行表现不符合原本的规格要求。这个运用280重层数据存储技术的存储设备，原本打算在TLC版本制造成功后迅速面市，不过现在估计要等到2026年上半年度才能开展大批量生产。

统计资料表明，三星在全球NAND闪存产业中占据领先地位，在2025年第二季度继续以32.9%的占有率稳居榜首，其营收较上一季度增长将近24%，达到了52亿美元。然而，三星负责存储业务的DS部门在该季度出现显著亏损，经营利润同比下降高达94%，仅为0.4万亿韩元，这是该部门连续六个季度中首次低于万亿韩元水平。

NAND闪存行业里，尽管三星整体上依然占据主导，但其他厂商在技术方面正逐步缩小和三星的差距，日本Kioxia已经成功推出332层V10级NAND闪存，SK hynix也在321层2TB QLC NAND技术上获得进展，并且已经实现批量生产。相比之下，三星当前最新的高端QLC产品还处在旧款V7的水平上，连V8版本的QLC产品都没有发售出来。

必须关注的是，由人工智能平台引发的巨大数据存储需求持续攀升，NAND闪存凭借价格竞争力成为非活跃数据保存的首选方案，行业分析指出到2030年三星在该细分市场的占有率或许会跌至8个百分点，这个数值将小于其他同等规模企业的表现。