《科创板日报》十月五日刊文称 近段时间以来 不少国外半导体龙头企业纷纷提高产品售价 依据央视财经披露的信息 过去六个月 全球内存芯片价格呈现稳步攀升态势 尤其是最近三十天 有关调价的通告发布得愈发频繁

据《科创板日报》不完全统计：

九月份尾声，三星公司宣布了第四季度的涨价方案，打算将部分内存条的成本提高十五个百分点到三十个百分点，同时把固态硬盘的售价增加五个百分点到十个百分点。

NAND闪存控制芯片的主要制造商群联，最近重新调整了产品定价，涨幅大约为十分之一。

九月份十六号，西部数据告知相关方，他们打算分阶段调高旗下所有机械硬盘产品的售价。

九月份初期，闪迪公布要针对所有分销途径和购买者的NAND产品，把售价增加百分之十以上。

价格有所波动的存储芯片主要包括两大类：其一为易失性半导体存储设备，其读取效率较高，但电力中断后信息即刻消失，无法持久保存，近期广受欢迎的高带宽内存也归入此类；其二为非易失性存储装置，电力中断时信息依然稳固留存，通常用于存储大量数据及模型参数，固态硬盘和机械硬盘等属于该类别。

依据摩根士丹利的近期分析，在人工智能领域热度持续攀升的情况下，存储芯片产业有望经历一个“超级周期”。就在上个月（10月1日），OpenAI与三星电子、SK海力士三方达成初步供货意向，韩国这两家企业将向“星际之门”计划提供存储芯片。韩国总统府透露，OpenAI打算于2029年采购九十万枚存储芯片硅片。

SK海力士通过公告表明，此项需求预估已远超全球高带宽存储芯片的现有生产能力，具体超出幅度超过两倍，这充分显示出“星际之门”计划的宏大体量，同时也反映出全球人工智能技术的迅猛进步。

深入剖析可以发现，当前DRAM与HBM均面临成本高昂以及供应短缺的双重压力，相较之下NAND存储技术具备显著优势，极有可能在人工智能发展进程中扮演核心角色，成为下一代计算平台的首选方案。

有消息透露，三星电子已经启动了HBF高带宽闪存产品的初步构思和相关准备工作。HBF，这是一种类似于HBM的新型存储器结构，主要面向人工智能领域进行设计，其特点在于采用NAND闪存来替代传统的DRAM。韩国科学技术院（KAIST）的教授金正浩，被誉为“HBM之父”，他说明，现阶段人工智能发展遇到的主要障碍是存储器的数据传输速率和存储量，速度相对迟缓但存储量更优的NAND闪存能够起到辅助作用。

据摩根士丹利分析，预计到2026年，NAND闪存市场将面临高达8%的供应不足情况。

群联电子的董事长潘健成近期在采访中提到，固态硬盘即将成为大容量存储的主要方式，现阶段与机械硬盘相比，两者的比例是两比八，因为固态硬盘的容量增长不够快，预计从2026年开始，NAND闪存会出现严重不足的情况，并且在之后的十年里供应都会比较紧俏。

当前，NAND Flash的价位增长已经超越了DRAM。根据CFM闪存市场报价的数据，2025年第三季度，NAND Flash市场综合价格指数增长了5%，而DRAM市场综合价格指数增长了19.2%。在9月份单月的数据中，NAND Flash市场综合价格指数上涨了4.7%，DRAM市场综合价格指数则上涨了2.6%。

接下来，TrendForce预测到今年第四季度，NAND Flash产品的价格可能会有5到10个百分点的增长，中信证券则表示，数据中心领域使用的eSSD在价格上的上升幅度可能会比人们原先的预期要大，而且在2026年，大容量的QLC SSD市场可能会迎来迅猛的发展。

（科创板日报 张真）