IT之家在十月十八日发布了一条消息, 这条消息的源头是首尔经济日报在今天所做的报道。根据该报道的内容, 三星电子打算使用来自台积电的工艺来进行生产工作, 这是因为台积电是全球最大的一家晶圆代工厂。

他们生产的目的是为了英伟达的下一代定制高带宽内存的核心组件而进行制造, 而这个核心组件被明确地指称为基底裸片。在此之前, 在三星所供应的所有HBM产品里面, 那个作为存储芯片核心裸片的部件和那个充当半导体基底裸片的部件, 都是三星自己生产的。

现在三星决定去接受英伟达的技术要求, 并对这种HBM的一站式全包制造模式进行调整。

有一位在行业里面的人消息是18日说的那个英伟达, 已经向三家供应这个NVHBM的这个供应商就是三星电子、SK海力士以及那个美光提出了一个要求, 说要让这一些公司去用那个台积电的3纳米这一个工艺来制造这个基底裸片。

然后, 英伟达这边同时也是又提出了一个要求, 就是说什么核心裸片这个东西要统一都采用那个代号叫做1c的第六代这个DRAM工艺。NVHBM 基于第七代下一代 HBM 标准 HBM4E 架构开发，是英伟达在 8 月发布的定制版高带宽内存。

IT之家从报道那边获悉了消息, 英伟达之所以提出这样一个要求, 原因是各个HBM供应商在制造方案上是不一样的, 所以很难基于同一套设计来做到性能稳定且一致的情况。

推行标准化也能够减轻工作量, 这个工作量指的是针对每家供应商单独开展产品验证的任务。三星的晶圆代工业务由设备解决方案事业部负责进行运营管理, 在这个部门内部做出评估之后, 他们决定接受英伟达的那些要求。

报道称, 有关标准版本的HBM产品, 三星还是将继续维持那种把什么都管起来的全套生产办法。

在最新的情况里, 三星在今年已经抢先一步在全球范围内实现了第六代HBM4产品的量产作业, 同时呢, 第七代的HBM4E产品现在正处于进行量产验证的阶段, 说到这两款产品具体的制造细节的话, 就是它们的基底裸片部分全都是采用了三星自己研发的那一种数值为4纳米的代工制作工艺, 另外关于核心裸片的生产工作, 则是安排在了三星旗下的华城厂区以及平泽厂区里面的标记为1c的那些生产线上去完成的。

三星针对AMD等客户所定制的HBM产品, 计划继续采用那种将研发、设计以及制造等环节全部打包在内的全流程生产方式。与此同时, 三星方面并没有切断在自身的晶圆工厂进行研发并生产NVHBM的可能性。

有行业内部人员对此做出了解释, 指出三星目前正在对自有产线是否能生产出用于NVHBM的裸片基底情况进行验证工作。这个动作可以被看作是一种预先设定的方案, 主要目的就是为了防止将来遇到的NVHBM需求量突破了台积电所能生产的产能上限这一情况的发生。